在半導(dao)體(ti)芯片(pian)制造領域，缺陷(xian)檢測與分析是確保產品良率的關(guan)鍵環(huan)節。隨著(zhu)工藝越來(lai)越復雜(za)，缺(que)陷數據量也在(zai)指數級增(zeng)長，如(ru)何高效地識別(bie)缺陷(xian)、精準定位(wei)其(qi)成因(yin)，以及進一步(bu)推(tui)進改善缺陷(xian)，對良率工程(cheng)師(shi)（YE）而(er)言是(shi)一(yi)項嚴(yan)峻挑戰。因此，一(yi)個(ge)能夠便(bian)捷整合缺陷圖片與數據、分(fen)析缺陷(xian)成因、提供改進方(fang)向的平(ping)臺，對于提升YE 的工作效率和決策準確性至關(guan)重(zhong)要。這樣的平臺有助于工程師(shi)更加科學、系統(tong)地(di)管理缺陷數據，從而推(tui)動芯片良率(lv)的持續提升(sheng)。

問題痛(tong)點

1. 缺(que)陷數據格式多：由于機臺型號的(de)差異，導致生(sheng)成的(de)缺(que)陷文(wen)件格式呈現多樣性(xing)，這(zhe)極大地增加(jia)了數(shu)據統(tong)一接(jie)收與處理的(de)難度。

2. 缺陷分析方法單一：傳(chuan)統的缺(que)陷(xian)分析主要局限于缺(que)陷(xian)數(shu)據本身，難(nan)以(yi)準確評估(gu)缺(que)陷(xian)對良(liang)率的實際(ji)影響(xiang)，同(tong)時難(nan)以(yi)有效識別缺(que)陷(xian)產生的根本原因。

3. 缺(que)陷關聯分析難(nan)：面對(dui)海量的缺(que)陷數據，快速準確地找到缺(que)陷產生(sheng)規(gui)律變得(de)尤為困難(nan)(nan)，從而較難(nan)(nan)定位原因，改良(liang)工藝。

4. 分析(xi)靈活性不足：缺陷(xian)的分布情況復(fu)雜多(duo)樣(yang)，傳統(tong)的操(cao)作(zuo)方式已無法滿足(zu)用(yong)戶多(duo)樣(yang)化(hua)的分析(xi)需求，難(nan)以(yi)有效剔(ti)除干(gan)擾缺陷(xian)，對(dui)特定缺陷(xian)進行(xing)深入(ru)分析(xi)。

解決方案

泰治科技憑(ping)借其在半(ban)導(dao)體(ti)前道(dao)領(ling)域的深厚積累，推出了(le)DMS系統(tong)，為Fab廠(chang)提供了一站式缺陷數(shu)據分析解決方案，旨在幫助YE全(quan)面識別缺陷、分析缺陷、改(gai)善缺陷，從而提高(gao)產品良(liang)率。

缺陷Map 分析

· Defect Loader：DMS系統Defect Loader模塊已經(jing)完成了對多種格(ge)式文件的(de)適配(pei)，包括但不限于klarf、trf等(deng)標準文件，也包括外(wai)延缺掃描(miao)等(deng)非標文件，這一特(te)性極大(da)地滿(man)足了(le)Fab 廠對于各類缺陷檢測機(ji)臺接入(ru)的(de)需求。

· 集成WIP、CP等數據：DMS系統(tong)集成WIP、CP等關(guan)鍵數據，并通(tong)過(guo)共性分(fen)析、CP Map、Kill Ratio等(deng)各種分析功能，為YE提供了便捷的(de)數據(ju)支持，進而(er)有(you)效(xiao)提升問題解(jie)決效(xiao)率。

· 缺陷追(zhui)蹤：YE可基(ji)于缺(que)陷數(shu)據或圖(tu)片，查(cha)找缺陷在不同Layer的(de)關聯性，進(jin)而(er)揭示缺陷之(zhi)間的(de)相(xiang)互影響(xiang)，為相(xiang)關工藝的(de)改進(jin)提供數據依據。

缺陷追蹤

     · 自由圈(quan)選(xuan)：DMS系統(tong)提供Freehand自由圈選(xuan)功能，YE可對缺(que)陷進(jin)行(xing)自由圈選，從而排(pai)除周邊(bian)缺(que)陷干擾對(dui)目標(biao)缺(que)陷單獨(du)進行批次分類、分析，不僅提高了分析的靈活(huo)性，也增強了系統(tong)的實用性。

自由圈選缺陷>

案例分析

某Fab 廠YE 在工作過程中，收(shou)到(dao)郵件(jian)告警，提(ti)示某幾片Wafer 的缺陷數量較多，初步懷疑這批(pi)Wafer 來料異常(chang)，或工藝機(ji)臺在加工(gong)過程中存在異(yi)常(chang)。YE 通(tong)過泰治DMS 對缺陷及其圖(tu)片進行查看(kan)分析(xi)后發現主(zhu)要缺陷為顆粒物(wu)（Partical）異常，通過缺陷追(zhui)蹤功能定(ding)位到Particle 最早(zao)出現的(de)Layer，通過共性分析定(ding)位Wafer 經過(guo)的工藝機(ji)臺、腔體，并提示YE 某腔(qiang)體集中(zhong)性(xing)較高，YE在系統中生成對應問題(ti)的DN單，EE接(jie)到(dao)工單(dan)進行排查(cha)，經清洗后Partical 改善。同時YE 將這個問題(ti)以知識庫的(de)形式(shi)在(zai)系統中記錄(lu)下(xia)來，作為后(hou)續遇到類似問題的(de)一個參考依據。

<缺陷圖片分析>

運用效果(guo)

DMS系統(tong)在IGBT、Fab多家(jia)頭部客戶量產穩(wen)定運行(xing)，取得(de)客戶的一致好(hao)評。幫助YE識別缺(que)(que)陷(xian)，統計各(ge)生(sheng)產階段的(de)(de)缺(que)(que)陷(xian)分布，并且能夠量(liang)化不(bu)同類型的(de)(de)缺(que)(que)陷(xian)對良(liang)率的(de)(de)影響(xiang)，提(ti)醒YE及時對相(xiang)關(guan)工藝(yi)進(jin)行(xing)改良，進(jin)而(er)不(bu)斷縮減缺陷(xian)，提(ti)高Wafer良(liang)率。